Kesikli Akım Elektrobiriktirme Yöntemiyle Üretilen Ni/W-Si3N4 Kompozitlerinin Mikroyapı ve Aşınma Özelliklerine Si3N4 Konsantrasyonunun Etkisi

نویسندگان

چکیده

Bu çalışmada, Ni/W-Si3N4 kompozitleri kesikli akım elektrobiriktirme (KEB) yöntemiyle üretilmiştir. Ni/W alaşımlarının saf nikelden çok daha iyi mekanik özelliklere sahip olmasından dolayı alaşım matrisli Si3N4 partikül takviyeli kompozitler KEB tekniği ile geliştirilmiştir. Banyo çözeltisi içerisindeki dört farklı silisyum nitrür (Si3N4) konsantrasyonunun üretilen kompozitlerin mikroyapısı, mikrosertliği ve aşınma özellikleri üzerindeki etkileri incelenmiştir. Ni/W- karakterizasyonu taramalı elektron mikroskobu (SEM), X-ışını kırınımı (XRD), mikrosertlik test cihazı sürtünme testi gerçekleştirilmiştir. Kesikli kompozit kaplama arasından 15 g/L konsantrasyonu kompoziti en uygun olarak tespit edilmiş olup, elde edilen yaklaşık 800 HV’lik sertlik değerlerine ulaşılmıştır. Ayrıca XRD analizinden scherrer formülü matrisin ortalama krsitalin boyutları hesaplanmış alaşımın kristalin tane boyutunun yarı yarıya azaldığı 12.14 nm seviyelerine kadar düştüğü edilmiştir. Benzer şekilde yapılan performanslarını ortaya koymak için testleri sonucunda da katsayısının optimum miktarı içeren kaplamalarda 0,45 m aynı hızının ise 1/3 oranında

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

Low divergence photonic nanojets from Si3N4 microdisks.

High intensity sub-wavelength spots and low divergence nanojets are observed in a system of Si3N4 microdisks illuminated from the side with laser light of wavelengths 488 nm, 532 nm and 633 nm. The disks are of height 400 nm with diameters ranging from 1μm to 10μm. Light scattered from the disk and substrate is observed by imaging from above. In free space light is focused inside the disks and ...

متن کامل

تولید کامپوزیت هیبریدی Al/AlMg-Al2O3-Si3N4 به روش ریخته گری و بررسی تاثیر نانوذرات Si3N4

امروزه استفاده از نانوذرات در کامپوزیت‌های زمینه آلومینیومی به دلیل اثرات برتر آن‌ها بر خواص مکانیکی و فیزیکی مورد توجه محققان قرار گرفته است. به علت ترشوندگی ضعیف نانوذرات توسط فلز زمینه حین ریخته‌گری و نسبت بالای سطح به حجم نانوذرات رسیدن به توزیع یکنواخت ذرات درون زمینه مشکل است. همچنین در فرآیند ساخت، نانوذرات تمایل به تشکیل توده‌های ذره‌ای به شکل خوشه‌ای دارند. توده‌ای شدن نانوذرات اثرات ن...

متن کامل

Composite infrared bolometers with Si3N4 micromesh absorbers.

We report the design and performance of 300-mK composite bolometers that use micromesh absorbers and support structures patterned from thin films of low-stress silicon nitride. The small geometrical filling factor of the micromesh absorber provides 20x reduction in heat capacity and cosmic ray cross section relative to a solid absorber with no loss in IR-absorption efficiency. The support struc...

متن کامل

γ-Si3N4 at Elevated Temperatures and Pressures

c © 2008 by John von Neumann Institute for Computing Permission to make digital or hard copies of portions of this work for personal or classroom use is granted provided that the copies are not made or distributed for profit or commercial advantage and that copies bear this notice and the full citation on the first page. To copy otherwise requires prior specific permission by the publisher ment...

متن کامل

Preparation and properties of clean Si3N4 surfaces

In situ chemical methods for preparing atomically-clean surfaces of Si3N4 thin films in ultra-high vacuum (UHV) have been studied using X-ray and ultraviolet photoemission, electron energy loss and Auger electron spectroscopies. Prior to the UHV studies, the films (grown ex situ on Si(1 0 0) wafers by low-pressure chemical vapor deposition) were characterized using primarily infrared reflection...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Europan journal of science and technology

سال: 2021

ISSN: ['2148-2683']

DOI: https://doi.org/10.31590/ejosat.1013327